作為電子工業(yè)用氣體之一，甲硅烷SiH4不僅在液晶TFT、太陽(yáng)能電池、半導(dǎo)體、感光體材料等工況具有重要的應(yīng)用，而且還用于能源工業(yè)、玻璃工業(yè)、化學(xué)工業(yè)及高科技領(lǐng)域等。這主要是由于高純四氫化硅SiH4的理化特性，為確保其性能需要對(duì)硅烷純度以及氧含量進(jìn)行檢測(cè)，那么硅烷中的微量氧含量怎么測(cè)呢？一般而言，可以直接使用基于ECD電化學(xué)法原理的高純SiH4氣體中O2濃度分析儀來(lái)檢測(cè)硅烷中氧氣的濃度值是否符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB/T15909中硅烷中氧O2含量體積分?jǐn)?shù)的要求。 硅烷，一般指甲硅烷，又稱(chēng)作四氫化硅，化學(xué)式為SiH4，是重要的電子工業(yè)用氣體。主要用于制作高純多晶硅、二氧化硅的低溫化學(xué)氣相淀積、氮化硅化學(xué)氣相淀積、多晶硅隔離層、多晶硅歐姆接觸層和異質(zhì)或同質(zhì)硅外延生長(zhǎng)原料以及離子注入源和激光介質(zhì)等，還可用于制作太陽(yáng)能電池、光導(dǎo)纖維和光電傳感器等。
 
工業(yè)上制備硅烷的方法主要包括硅化鎂法、氫化鋁鈉還原四氟化硅法、氯硅烷歧化工藝法等。在這些工藝過(guò)程中，原料中的氧氣可能會(huì)被引入到產(chǎn)品中。例如，硅化鎂法中，原料四氯化硅和硅化鎂在反應(yīng)過(guò)程中可能會(huì)與氧氣發(fā)生反應(yīng)，產(chǎn)生氧氣；氫化鋁鈉還原四氟化硅法中，原料四氟化硅和氫化鋁鈉在反應(yīng)過(guò)程中可能會(huì)與氧氣發(fā)生反應(yīng)，產(chǎn)生氧氣；氯硅烷歧化工藝法中，原料四氯化硅在歧化反應(yīng)過(guò)程中可能會(huì)與氧氣發(fā)生反應(yīng)，產(chǎn)生氧氣。因此，為了得到高純度的硅烷，需要采取有效的控制氧氣含量的措施，以避免氧氣對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量的影響。
 
國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《GB/T 15909-2017 電子工業(yè)用氣體 硅烷》中對(duì)于工業(yè)硅烷氣體中氧含量要求如下：
硅烷（SiH4）純度≥99.9999%VOL，氧+氬（O2+Ar）含量≤0.05ppm

以贏潤(rùn)集團(tuán)研發(fā)生產(chǎn)的ERUN-QZ9100在線(xiàn)式微量氧含量分析儀為例，可以用來(lái)檢測(cè)高純氣體或混合氣體中的微量氧氣濃度含量，由于采用的是進(jìn)口原裝高精度長(zhǎng)壽命電化學(xué)原理傳感器，可以非?？焖贉?zhǔn)確地檢測(cè)出混合氣體中氧氣的濃度值，誤差小、精度高，反應(yīng)靈敏，性能穩(wěn)定可靠，幾乎免維護(hù)，通電開(kāi)機(jī)即可自動(dòng)工作，可實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)期無(wú)人化自動(dòng)運(yùn)行。 硅烷中微量氧分析儀技術(shù)參數(shù)：
產(chǎn)品型號(hào)：ERUN-QZ9100
檢測(cè)氣體：混合氣中微量氧氣
檢測(cè)原理：ECD電化學(xué)
量程范圍：0-1000ppm，其他量程范圍可訂制
分 辨 率：0.1ppm
誤差精度：≤±1%F.S.
響應(yīng)時(shí)間：T90≤10秒
數(shù)據(jù)傳輸：4-20 mA模擬信號(hào)、RS232/RS485標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字信號(hào)
工作溫度：－10℃ ～ ＋50℃
工作濕度：≤90%RH
工作壓力：0.05MPa ～ 0.25MPa
工作電源：220VAC±10%，50Hz±5%；12V，20000 mA超大容量可充放電池
 
以上就是關(guān)于硅烷中的微量氧含量怎么測(cè)的相關(guān)介紹，硅化鎂法、氫化鋁鈉還原四氟化硅法和氯硅烷歧化工藝法制備的電子工業(yè)用硅烷可能會(huì)含有氧氣，這是因?yàn)檫@些方法在制備過(guò)程中可能涉及到氧化反應(yīng)或者空氣中的氧氣被引入。而通過(guò)使用高純SiH4氣體中O2濃度分析儀就可以對(duì)于高純硅烷氣體中所含有的微量硅烷氣體的濃度值進(jìn)行檢測(cè)，已判定其濃度含量是否合格，如有任何疑問(wèn)歡迎咨詢(xún)贏潤(rùn)集團(tuán)工作人員。